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產(chǎn)品系統(tǒng)NEWS CENTER

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產(chǎn)品系統(tǒng)

首頁-產(chǎn)品系統(tǒng)-輻射探測器-硅帶電粒子輻射探測器-用于研究應(yīng)用的Si帶電粒子輻射探測器

用于研究應(yīng)用的Si帶電粒子輻射探測器

產(chǎn)品型號:

簡要描述:ORTEC提供各種耗盡厚度的硅面壘型探測器,可滿足眾多研究應(yīng)用的需求

  • 廠家實力

    Manufacturer Strength
  • 有效保修

    Valid Warranty
  • 質(zhì)量保障

    Quality Assurance

詳細介紹

ORTEC提供各種耗盡厚度的硅面壘型探測器,可滿足眾多研究應(yīng)用的需求。

*所有分辨率測量均在21±1°C下執(zhí)行和保證。

**用5.486-MeV天然α粒子測量。

A 系列

B 系列

主要應(yīng)用

高分辨率帶電粒子光譜測量(核物理與放射化學(xué) ,空間物理學(xué))

粒子識別、望遠鏡探測器(核物理與放射化學(xué),空間物理學(xué))

探測器類型

部分耗盡的硅面壘

全耗盡的硅面壘

初始材料

Si

Si

有效面積范圍 (mm2)

25-450

50-450

有效厚度范圍 (µm)

1000-2000

150-2000

保證工作溫度范圍*

+25°C
30°C

+25°C
30°C

二極管結(jié)構(gòu)

- N型硅鋁部分耗盡

- N型硅鋁全耗盡

標稱等效** 窗口的截止能量

入口
800 Å Si

入口
800 Å Si
出口
2250 Å Si



C 系列

D 系列

主要應(yīng)用

從準直光源或光束的反向散射 - 角度相關(guān)測量(核物理)

重離子的飛行時間測量(核物理)

探測器類型

環(huán)形部分耗盡的硅面壘

平面全耗盡的硅面壘

初始材料

Si

Si

有效面積范圍 (mm2)

50-450

10-450

有效厚度范圍 (µm)

100-1000

15-100

保證工作溫度范圍*

25°C
30°C

10°C
25
°C

二極管結(jié)構(gòu)

- N型硅鋁部分耗盡

- N型硅鋁全耗盡平面

標稱等效** 窗口的截止能量

入口
800 Å Si
出口
2250 Å Si

入口
800 Å Si
出口
2250 Å Si



F 系列

R 系列

主要應(yīng)用

重離子譜測量(核物理學(xué))

可在空氣和環(huán)境光下進行的帶電粒子譜測量

探測器類型

部分耗盡的硅面壘

加固型部分耗盡硅

初始材料

Si

Si

有效面積范圍 (mm2)

100-900

50-2000

有效厚度范圍 (µm)

60

100-500

保證工作溫度范圍*

+25°C
30°C

+25°C
30°C

二極管結(jié)構(gòu)

- N型硅鋁部分耗盡高場強

- P型硅金部分耗盡

標稱等效** 窗口的截止能量

入口
800 Å Si

入口
2300 Å Si


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